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NTD4909N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.9
0.8
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
30
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
16
14
Reverse Recovery Time
Q RR
20
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance (Note 7)
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.99
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 7)
Gate Inductance (Note 7)
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
4.9
Gate Resistance
R G
1.0
2.0
W
7. Assume terminal length of 110 mils.
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD4909NT4G
NTD4909N ? 1G
NTD4909N ? 35G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
IPAK Trimmed Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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